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本月初，旺宏董事长吴敏求在出席李国鼎纪念论坛时指出，目前存储市场仍以DRAM为主流，不过3D NAND Flash拥有最高密度及最低制造成本，预期未来可能成为存储市场新主流。
距离三星2013年量产全球首款3D NAND Flash已过去了近8年，层数也从原来的24层进化到现在的176层。那么目前全球NAND Flash的市况如何？各大“玩家”取得了哪些进展以及3D NAND Flash的未来将走向何方？
目前市况如何？
NAND Flash是Flash的一种，其内部采用非线性宏单元模式，为固态大容量内存的实现提供了廉价有效的解决方案。得益于容量较大、改写速度快等优点，适用于大量数据的存储，因而在业界得到了越来越广泛的应用。
市调机构集邦咨询（TrendForce）的最新数据显示，2021年第三季度全球NAND Flash芯片出货量增长近11%，平均销售单价增长约4%，同时行业总营收环比增长15%至188.8亿美元。排名前六的厂商营收均有不同幅度的同比增长。
图源：集邦咨询
从需求端来看，智能手机和服务器用NAND Flash贡献了第三季度大部分营收。Q3是传统智能手机出货旺季，苹果、OPPO、vivo、小米等厂商纷纷发布了旗舰机型以拉动NAND Flash用量；另一方面，超大规模数据中心的上量也带动了NAND Flash营收。
目前看来，全球NAND Flash市况一片大好，不过对于第四季度乃至2022年的行业发展走势，业界却众说纷纭。集邦咨询认为，由于上游晶圆代工产能不足的问题没有解决，零部件供给不均衡的状态广泛的影响到各类应用，以及库存相对充足导致合约价开始转跌，预计今年第四季度NAND Flash营收强劲增长的动能将暂告一段落。
台媒也援引业内人士的消息称，自今年第四季度以来，电源管理IC和闪存设备控制器芯片的短缺状况持续改善，鼓励NAND闪存芯片制造商扩大产量。该人士并警告，2022 年上半年 NAND Flash的供应可能会超过需求。
另有反对者认为市场对于NAND Flash的走势过于悲观，NAND Flash控制IC厂群联董事长潘健成此前在法说会上指出，从当前来看，2022年NAND Flash整体市场容量需求将会再成长1.5～1.8倍，预期群联最快2022年上半年库存将会不足以因应市场需求，未来针对5G、电动车等新兴应用，NAND Flash容量需求将看不到天花板。
不过存储周期性的需求也决定了NAND Flash市场的不确定性，未来走势究竟如何还有待市场的进一步观察。
各大玩家角逐
提到NAND Flash则不得不提目前市场上最主流的3D NAND，相关数据显示，2019年，3D NAND的渗透率达到了72.6%，已远超 2D NAND，预期这一数字将在2025年达到97.5%。
从2D到3D早已成为NAND Flash市场的大趋势，对于这个变化，有个很形象的比喻即“从平方到高楼”。
那么NAND Flash为何会演变成3D？分析机构Objective Analysis董事长兼资深分析师Jim Handy在做客《集微访谈》时指出，“3D NAND是NAND存储厂商克服当前困难的一个方式，他们已经没有办法在原有2D NAND存储的基础上降低成本，因此他们选择了用3D技术来‘节流’。”
更为重要的是，3D NAND还解决了2D NAND 在增加容量的同时性能降低的问题。
这一技术的优势自然吸引了众多玩家入局，三星、铠侠、SK海力士、美光、长江存储等厂商纷纷布局3D NAND Flash。
从技术发展来看，各家仍在层数上一较高下。三星早在2013年便开始量产3D NAND Flash，采用CTF电荷撷取闪存（charge trap flash，简称CTF）路线，相比传统的FG（Floating Gate，浮栅极）技术难度要小一些。目前三星已量产176层NAND Flash。另外，三星也公布了下一代NAND Flash的细节，堆栈层数超过200层。
韩国另一存储大厂SK海力士则在去年宣布了的一个大事件，即斥资90亿美元收购英特尔的NAND Flash业务，且已通过各国的反垄断调查。在产品进展上，有消息称SK海力士在今年第四季度开始量产176层NAND Flash。
铠侠投入研发的时间较早，在2007年独辟蹊径地推出了BiCS技术，今年2月宣布与西部数据共同开发出了162层NAND Flash。
美光是全球最早宣布176层NAND Flash量产的厂商，该产品结合采用替换栅极工艺和新单元结构的新阵列结构，提高性能的同时缩小了尺寸。
中国大陆的长江存储入局较晚，2017年发布了首款3D NAND Flash，2019年基于自主研发的Xtacking1.0 架构闪存技术，成功量产 64 层 TLC 3D NAND 闪存。今年则开始量产128层3D NAND Flash。
由 dawei
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